Облата је направљена од чистог силицијума (Си). Уопштено подељен на спецификације од 6 инча, 8 инча и 12 инча, плочица се производи на основу ове плочице. Силицијумске плочице припремљене од полупроводника високе чистоће кроз процесе као што су извлачење и резање кристала називају се облатне бецаупотреба су округлог облика. Различите структуре елемената кола могу се обрадити на силиконским плочицама како би постали производи са специфичним електричним својствима. функционални производи интегрисаних кола. Области пролазе кроз низ производних процеса полупроводника да би се формирале изузетно мале структуре кола, а затим се секу, пакују и тестирају у чипове, који се широко користе у разним електронским уређајима. Материјали за плочице су доживели више од 60 година технолошке еволуције и индустријског развоја, формирајући индустријску ситуацију у којој доминира силицијум и допуњена новим полупроводничким материјалима.
80% светских мобилних телефона и рачунара производи се у Кини. Кина се ослања на увоз за 95% својих чипова високих перформанси, тако да Кина троши 220 милијарди америчких долара сваке године на увоз чипова, што је двоструко више од годишњег увоза нафте у Кини. Сва опрема и материјали који се односе на фотолитографске машине и производњу чипова су такође блокирани, као што су плочице, метали високе чистоће, машине за јеткање итд.
Данас ћемо укратко говорити о принципу брисања УВ светла машина за вафле. Приликом писања података, потребно је убризгати пуњење у пливајућу капију применом ВПП високог напона на капију, као што је приказано на слици испод. Пошто убризгано пуњење нема енергију да продре кроз енергетски зид филма од силицијум оксида, оно може само да одржи статус куо, тако да наелектрисању морамо дати одређену количину енергије! Ово је када је потребно ултраљубичасто светло.
Када плутајућа капија прими ултраљубичасто зрачење, електрони у пливајућој капији примају енергију кванта ултраљубичастог светла, а електрони постају врући електрони са енергијом да продру кроз енергетски зид филма од силицијум оксида. Као што је приказано на слици, врући електрони продиру у филм силицијум оксида, теку до супстрата и капије и враћају се у избрисано стање. Операција брисања се може извршити само примањем ултраљубичастог зрачења и не може се електронски избрисати. Другим речима, број битова се може променити само са "1" на "0", и то у супротном смеру. Не постоји други начин осим брисања целог садржаја чипа.
Знамо да је енергија светлости обрнуто пропорционална таласној дужини светлости. Да би електрони постали врући електрони и тако имали енергију да продру у оксидни филм, преко је потребно зрачење светлости краће таласне дужине, односно ултраљубичастих зрака. Пошто време брисања зависи од броја фотона, време брисања се не може скратити ни на краћим таласним дужинама. Генерално, брисање почиње када је таласна дужина око 4000А (400нм). У основи достиже засићење око 3000А. Испод 3000А, чак и ако је таласна дужина краћа, то неће утицати на време брисања.
Стандард за УВ брисање је генерално прихватање ултраљубичастих зрака са прецизном таласном дужином од 253,7 нм и интензитетом од ≥16000 μ В /цм². Операција брисања се може завршити временом експозиције у распону од 30 минута до 3 сата.
Време поста: 22.12.2023